Ykjam aragatnaşyk enjamlaryny öndürmek boýunça dünýäniň öňdebaryjy kompaniýalaryndan “Samsung” gysga wagtda, ýagny 12 minutda telefona zarýad bermegiň usulyny işläp düzdi. Günorta Koreýanyň “Samsung Electronics” kompaniýasy geljegiň materialy hasap edilýän grafenden mobil telefonlary üçin täze akkumulýatory döretdi. Bu barada kompaniýanyň ylmy-barlag düzümi bolan “Samsung Advanced Institute of Technology” (SAIT) habar berdi.
Institutyň alymlary grafendäki üç ölçegli obýektleriň barlagyny geçirip, grafen şariklerini işläp düzdüler. Şonuň hasabyna telefonlara gysga wagtda zarýad bermek mümkinçiligine eýe bolnar. Grafen şariklerinden ybarat bolan akkumulýatorlar şol birwagtda telefonyň zarýadyny uzak wagtlap saklamaga hem şert döreder.
Günorta Koreýanyň “Renhap” agentliginiň hem habar bermegine görä, bu akkumulýator bary-ýogy 12 minutda mobil enjamynyň doly derejede zarýad almagyna şert döreder. Litiý-iondan ýasalan zarýad enjamlary arkaly telefona 1 sagatda zarýad bermek bolar.
SAIT-iň bellemegine görä, täze enjam 5-60 dereje gyzgynlykda ulanyp bolar. “Samsung” onuň patenti üçin ABŞ-a hem-de Günorta Koreýa ýüz tutdy.
Grafen uglerodyň düzümindäki atomyň bir taraply gatlagydyr. Ol ýokary derejedäki çeýeligi hem-de täsin elektrik aýratynlygy bilen tapawutlanýar. Grafeni döretmek babatda 2010-njy ýylda alymlar Konstantin Nowoselow hem-de Andreý Geým fizika boýunça Nobel baýragyna mynasyp bolupdy.